چکیده

در این مقاله خواص مدهای نقص ساختار نوارگاف فوتونی دی­الکتریک-فلز سه­لایه را در یک بعد بررسی می­کنیم. لایه نقص  از جنس ماده دی الکتریک است. مدهای نقص را برای حالت متقارن بررسی کرده­ایم. به­علاوه بازتاب را برحسب طول موج برای ضخامت و ضریب شکست­های متفاوت لایه نقص و همچنین تعداد لایه­های متفاوت و زوایای مختلف تابش  برای موج TE  و TM نشان داده­ایم. یافته­ها نشان می­دهند که یک مد نقص در حالت متقارن وجود دارد و تعداد مدهای نقص با افزایش ضریب شکست و ضخامت لایه نقص زیاد می­شود.  همه محاسبات با روش ماتریس انتقال و با استفاده از مدل درود در فلزات انجام گرفته است. 

 شکل4: بازتاب بر حسب طول موج برای بلور فوتونی سه­لایه دی­الکتریک-فلز متقارن با لایه نقص دی­الکتریک برای ضریب شکست­های متفاوت متناسب با q. تعداد لایه­­های تناوبی N=5 و ضخامت لایه نقص برابر 120 نانومتر است.

خواص مدهای نقص در بلور فوتونی سه­لایه دی­الکتریک-فلز در یک بعد

چکیده

کلمات کلیدی: مدهای نقص، بلور فوتونی دی­الکتریک-فلز، بلور فوتونی سه­لایه

کد: فیزیک اتمی و مولکولی( اپتیک، لیزر، پلاسما ) 

مقدمه 

تئوری

نتایج عددی و بحث

نتیجه­گیری

مشخصات مقاله و نویسندگان